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BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測試儀

  • 更新時(shí)間:  2024-09-05
  • 產(chǎn)品型號:  
  • 簡單描述
  • 塞貝克效應(yīng)也叫熱電效應(yīng),兩個(gè)不同的電導(dǎo)體或半導(dǎo)體之間的溫差在兩種物質(zhì)之間產(chǎn)生電壓差,當(dāng)熱量施加到兩個(gè)導(dǎo)體或半導(dǎo)體中的一個(gè)時(shí),加熱的電子便會流向較冷的導(dǎo)體或半導(dǎo)體。熱電材料的研究在能量保存和能源替代方面有著重要的作用,而熱電系數(shù)是熱電材料的主要參數(shù)之一通過研究不同溫度下的熱電系數(shù)并配合理論模型可得到載流子類型和能帶結(jié)構(gòu)信息等.主要應(yīng)用于能源效率,替代能源,汽車和燃料消耗等研究.
詳細(xì)介紹

BKTEM-D3A型高溫材料熱電性能測試儀是一款集成度高的,應(yīng)用對于熱電材料熱電性質(zhì)參數(shù)賽貝克系數(shù)和電導(dǎo)率進(jìn)行測量。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:

1、半導(dǎo)體行業(yè)

2、能源和環(huán)境工程

3、熱電測量

4、制冷行業(yè)

5、大學(xué)研究與教學(xué)

6、材料:半導(dǎo)體、金屬與合金

7、工業(yè)領(lǐng)域:汽車/航空/航天,開發(fā)研究和學(xué)術(shù)研究,半導(dǎo)體行業(yè)/傳感器/熱電發(fā)電機(jī)/制冷設(shè)備 

主要熱電材料體系

Bi2Te3/Sb2Te3體系

PbTe體系

SiGe體系

CoSb3為代表的方鉆礦型熱電材料

Zn4Sb3  

技術(shù)特點(diǎn):

·可控溫場下可同步測量賽貝克系數(shù)和電阻率

·標(biāo)準(zhǔn)配置進(jìn)口高級商用吉時(shí)利(Keithley )數(shù)采儀表,避免電路板集成數(shù)據(jù)采集技術(shù)帶來的干擾誤差

Keithley技術(shù):

100nV rms 噪音本底

直流電壓靈敏度低至 10nV,基本精度為 0.002%(90天)

7ppm DCV 可重復(fù)性,基本 1 年 DCV 準(zhǔn)確度:0.0028%

最大讀取速度范圍:2k 讀數(shù)/秒;

溫度分辨率:0.001℃;

交流電壓分辨率:0.1μV

電阻分辨率:1 μΩ

電流分辨率:1nA

低功耗歐姆測量模式

弱電流電路測試功能

偏置補(bǔ)償歐姆功能

檢定低壓元件又快又準(zhǔn)確

提高測量精度的置信度

以低至 100μA 的源電流測量低阻抗,大大少設(shè)備自發(fā)熱

進(jìn)行電阻測量時(shí)控制測試電壓,避免擊穿可能已形成的任何氧化物或膜

消除會在系統(tǒng)環(huán)境中進(jìn)行低電平電阻測量時(shí)產(chǎn)生錯(cuò)誤的熱效應(yīng)

提供更的低電阻測量

·標(biāo)配進(jìn)口高級商用電流源(ADCMT),非電路板集成恒流源,避免無法精準(zhǔn)輸出小電流而產(chǎn)生熱效應(yīng)和測不準(zhǔn)

·恒流源參數(shù):0.000-220mA;恒流設(shè)置分辨率:100nA;恒流穩(wěn)定性:0.008+20nA/天

·溫度范圍:RT up to 1200℃
·控溫速率:0.01 –100K/min,可以節(jié)約用戶測試時(shí)間

·配置垂直放樣結(jié)構(gòu),上下樣品支架夾持

·測量范圍:賽貝克系數(shù):0.5μV/K-25V/K;電阻率:0.2μOhmm-2.5KOhmm

·0-80K溫差范圍可任意設(shè)置溫差值及溫差點(diǎn)的個(gè)數(shù)

·U-I曲線自動掃描,計(jì)算出合適的電流數(shù)值, 可以測量電導(dǎo)率;不會對大電阻樣品產(chǎn)生誤差

·鉑金大電極設(shè)計(jì),和樣品可充分接觸,對于不均勻樣品也可獲得良好的導(dǎo)電測試

·熱電偶間距可以根據(jù)樣品尺寸調(diào)節(jié)后固定,滿足不同科研要求精度:賽貝克系數(shù):±7%;電導(dǎo)系數(shù):±7%(熱電材料測試,非康銅標(biāo)樣);重復(fù)性:3%

·高級應(yīng)用程序控溫技術(shù),包括溫差和測量步進(jìn)等高級要求

·自由升/降溫、控制溫度程序,進(jìn)行升溫、恒溫與降溫過程中的數(shù)據(jù)測量 

·熱電偶探針可選K、S、R型(無需鎧裝)配置,不會產(chǎn)生非常大的接觸電阻

·自動壓力安全保護(hù)設(shè)計(jì),進(jìn)口美國航天級硬件配置,確保測試過程中不會發(fā)生爆炸

·測量系統(tǒng):柱狀、片狀、長方體、薄膜等系統(tǒng)可選

 

技術(shù)規(guī)格

溫度范圍

RT up to 1200°C

控溫速率

0.01 – 100k/min

控溫精度

+/-0.25K

測量方法

賽貝克系數(shù):靜態(tài)直流電

電阻系數(shù):四端法

測量范圍

賽貝克系數(shù):0.5μV/K-25V/K

電阻率:0.2μOhmm-2.5KOhmm

分辨率

賽貝克系數(shù):10nV/K

電阻率:10nOhmm

精度

賽貝克系數(shù): ± 5 %

電導(dǎo)系數(shù):± 7 %

重復(fù)性

3%

電流

0 to 220 mA(可控精準(zhǔn)≤0.005mA)

恒流設(shè)置分辨率:100nA

恒流穩(wěn)定性:0.008+20nA/天

數(shù)據(jù)采集

100nV rms 噪音本底

直流電壓靈敏度低至 10nV,基本精度為 0.002%(90天)

7ppm DCV 可重復(fù)性,基本 1 年 DCV 準(zhǔn)確度:0.0028%

最大讀取速度范圍:2k 讀數(shù)/秒

溫度分辨率:0.001℃;

交流電壓分辨率:0.1μV

電阻分辨率:1 μΩ

電流分辨率:1nA

氣氛

He、氧化、還原、真空(多種可選) 

真空度

10E-3mbar

樣品尺寸

直徑或正方形:2 to 4 mm ;長度:6 to 22mm

 



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